文献类型：期刊文章

作　　者：熊传兵[1,2] 江风益[1,2] 王立[1,2] 方文卿[1,2] 莫春兰[1,2]

机构地区：[1]南昌大学教育部发光材料与器件工程研究中心,南昌330047 [2]晶能光电(江西)有限公司,南昌330029

出　　处：《物理学报》

基　　金：国家高技术研究发展计划(批准号:2005AA311010;2003AA302160);信息产业部电子发展基金(批准号:2004125;2004479)资助的课题~~

年　　份：2008

卷　　号：57

期　　号：12

起止页码：7860-7864

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2004、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EI、IC、INSPEC、JST、RCCSE、SCIE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、ZMATH、核心刊

摘　　要：测试了硅衬底垂直结构芯片在不同空间角度上的电致发光(EL)谱.指出硅衬底垂直结构InGaAlN多量子阱发光二极管的EL谱中多个峰型来源于干涉现象,而不是来自于多个阱层的发光.干涉峰的疏密反映p型层厚度的一致性,干涉现象的强弱反映p型欧姆接触层反光能力的强弱.芯片法线方向附近发光最强干涉现象最明显,芯片侧边的发光几乎没有干涉现象且发光强度最弱.

关 键 词：InGaAlN  发光二极管 垂直结构  电致发光

分 类 号：TN312.8]