文献类型：期刊文章

作　　者：王昆鹏[1] 师春生[1] 赵乃勤[1] 杜希文[1]

机构地区：[1]天津大学材料科学与工程学院,天津市材料复合与功能化重点实验室,天津300072

出　　处：《物理学报》

基　　金：国家自然科学基金(批准号:50771071)资助的课题~~

年　　份：2008

卷　　号：57

期　　号：12

起止页码：7833-7840

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2004、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EI(收录号：20090711905703)、IC、INSPEC、JST、RCCSE、SCI(收录号：WOS:000263389800068)、SCI-EXPANDED(收录号：WOS:000263389800068)、SCIE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、ZMATH、核心刊

摘　　要：采用基于密度泛函理论的平面波赝势方法和广义梯度近似,对未掺杂、掺B、掺N的碳纳米管(CNT)不同位置上Al原子的吸附进行了几何优化,计算了吸附Al、掺杂前后CNT的能带结构、态密度、差分电荷密度、电荷布居数和吸附能.计算结果表明,掺B使CNT形成缺电子状态,利于具有自由电子的Al原子的吸附结合,可显著提高Al在金属性的(5,5)CNT和半导性的(8,0)CNT外壁的吸附能;掺杂N形成多电子状态,在费米能级附近半满的施主能级也利于填充Al的价电子,改善Al在(5,5)CNT和(8,0)CNT外壁的吸附结合性.掺B提高了Al与CNT的离子性键结合,掺N提高了Al与CNT的共价性键结合,均改善了CNT外壁Al原子的吸附,此种方法有望改善Al基体和CNT之间的界面结合.

关 键 词：密度泛函理论 单壁碳纳米管 B(N)掺杂  Al原子吸附  

分 类 号：O472]