文献类型：期刊文章

作　　者：唐鑫[1] 吕海峰[2] 马春雨[1] 赵纪军[3] 张庆瑜[1]

机构地区：[1]大连理工大学三束材料改性国家重点实验室,大连116024 [2]中国科学院计算机网络信息中心,北京100080 [3]大连理工大学高科技研究院,大连116024

出　　处：《物理学报》

基　　金：国家自然科学基金(批准号:10605009;10774018);国家重点基础研究发展规划(批准号:2007CB616902);中国科学院知识创新工程青年人才项目(批准号:0714061A01)资助的课题~~

年　　份：2008

卷　　号：57

期　　号：12

起止页码：7806-7813

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2004、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EI(收录号：20090711905699)、IC、INSPEC、JST、RCCSE、SCI-EXPANDED(收录号：WOS:000263389800064)、SCIE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、ZMATH、核心刊

摘　　要：采用密度泛函理论结合投影缀加波方法,对Be掺杂导致ZnO禁带宽度增加的机理进行了研究.通过对掺杂前后电子能带结构、总态密度以及分态密度的计算和比较,发现导带底(CBM)是由Be2s电子与Zn4s电子共同控制;而BexZn1-xO价带顶(VBM)始终由O2p电子占据.随着掺杂量的增加,决定带隙宽度的CBM的位置上升,同时VBM的位置下降,从而导致了带隙的变宽,出现了蓝移现象.此外,Be掺杂会使晶胞发生压缩,这种压应变也是导致BexZn1-xO禁带宽度变宽的原因之一.

关 键 词：密度泛函理论 电子结构 Be掺杂ZnO  

分 类 号：O471.5]