文献类型：期刊文章

作　　者：张海兵[1] 吕毅军[1] 李开航[1] 陈焕庭[1] 高玉琳[1] 陈忠[1]

机构地区：[1]厦门大学物理系福建省半导体照明工程技术研究中心,福建厦门361005

出　　处：《光电子．激光》

基　　金：国家"863"半导体照明工程资助项目(2006AA03A175);福建省重大专项资助项目(2006H0092;2008J0030);厦门市重大项目(3502Z20061004)

年　　份：2008

卷　　号：19

期　　号：12

起止页码：1580-1583

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2004、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EI(收录号：20090711910244)、SCOPUS、核心刊

摘　　要：理论上详细分析了LED正向电压随温度变化的物理机理，并在大的电流范围（0．1-200mA）和温度范围（60-350K）内，对AIGaInP、InGaN材料系功率型LED正向电压随温度的变化关系进行了系统的实验研究。发现在恒定电流下，两者的变化关系可分为高温区和低温区两段。在高温区两者为线性反比关系，并且电压温度系数与正向电流有关，在低温区正向电压随温度减小而突然急剧增大。理论很好地解释了实验结果。

关 键 词：功率型LED 结温 电压温度系数  温度传感器

分 类 号：TN383.1]