期刊文章详细信息
聚乙炔/SnO_2异质结的光电流密度
Photocurrent Intensity of Polyacetylene Basic Heterojunction
文献类型：期刊文章
机构地区：[1]暨南大学物理系 [2]中国工程物理院应用电子所
基 金：国务院侨务办公室重点学科科研基金
年 份：1997
卷 号：18
期 号：1
起止页码：49-52
语 种：中文
收录情况：CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD_E2011_2012、JST、MR、PROQUEST、RCCSE、WOS、ZGKJHX、ZMATH、ZR、普通刊
摘 要：用改进的Ｎａａｒｍａｎｎ法在ｎ型ＳｎＯ２基片上直接聚合成聚乙炔膜，制成ｐ－（ＣＨ）ｘ／ｎ－ＳｎＯ２异质结，用氩离子激光器作光源，测量了光电流密度与入射光强度的关系曲线．在仅考虑聚乙炔吸收光的情况下，从理论上导出聚乙炔基异质结的光电流密度公式。
关 键 词：聚乙炔聚 异质结 光电流密度 有机半导体 氧化锡
分 类 号：TN304.501]
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