期刊文章详细信息
In-Nb复合半导体氧化物Cl2敏感特性的研究
THE SENSITIVITY OF In-Nb COMPOUND SEMICONDUCTOR OXIDE TO Cl2
文献类型：期刊文章
机构地区：[1]哈尔滨理工大学 [2]哈尔滨理工大学测控技术与通信工程学院 [3] [4]哈尔滨理工大学测控技术与通信工程学院测控技术与仪器黑龙江省高校重点实验室 [5]哈尔滨工程大学机电工程学院
年 份：2008
卷 号：29
期 号：3
起止页码：272-275
语 种：中文
收录情况：CAS、ZGKJHX、普通刊
摘 要：以检测Cl2为目标,采用恒温化学共沉积法合成了In-Nb复合半导体氧化物,并研究了其气体传感器的制作方法,分析了In-Nb气敏材料的微观特性和敏感特性,探讨了气敏机理。实验证明,In-Nb材料具有良好的Cl2敏感特性。
关 键 词：In2O3 Nb2O5 气敏特性 氯气传感器
分 类 号：TP212]
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