文献类型：期刊文章

作　　者：甄聪棉[1,2] 张金娟[1,2] 刘彩霞[1,2] 张永进[1,2]

机构地区：[1]河北师范大学物理科学与信息工程学院,河北石家庄050016 [2]河北省新型薄膜材料实验室,河北石家庄050016

出　　处：《河北师范大学学报（自然科学版）》

基　　金：国家自然科学基金(10804026;10774037);河北省自然科学基金(E2007000280);河北省教育厅基金(2006123)

年　　份：2008

卷　　号：32

期　　号：6

起止页码：741-744

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2004、CAS、CSA-PROQEUST、MR、WOS、ZGKJHX、ZMATH、ZR、核心刊

摘　　要：采用直流电化学腐蚀的方法在不同电流密度下制备了多孔硅样品.用SEM,FTIR,PL谱研究了制备样品的结构和发光特性.结果表明,多孔硅样品的发光强度和峰位与电流密度存在密切关系,制备的多孔硅存在378,470,714 nm的光致发光,对这几个发光峰的发光机理进行了讨论.

关 键 词：多孔硅 电化学腐蚀 光致发光 量子限制效应

分 类 号：TN104.3] TG174.36]