文献类型：期刊文章

作　　者：徐光亮[1] 宋春军[1,2] 曹林洪[1] 熊昆[1]

机构地区：[1]西南科技大学新材料研究所,材料科学与工程学院,四川绵阳621010 [2]中国科学院合肥物质研究院固体物理研究所,合肥230031

出　　处：《硅酸盐学报》

基　　金：国防基础科研(A3120061156)资助项目

年　　份：2008

卷　　号：36

期　　号：11

起止页码：1629-1632

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2004、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EI、IC、INSPEC、JST、RCCSE、RSC、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：借助两面顶超高压设备,通过冷等静压和超高压成型制备了相对致密度>60%的SiC陶瓷生体。在低压流动氮气保护下,无压烧结获得了晶粒尺寸在200nm左右的高致密的SiC陶瓷。利用扫描电镜、X射线衍射对烧结体的断面形貌和相组分进行分析。结果表明:超高压处理能够提高坯体及烧结体的致密度,并有助于抑制晶粒的长大。添加12%烧结助剂[Al2O3(平均粒度约为80nm)和Y2O3(平均粒度约为50nm)],经4.5GPa,6min超高压成型的SiC样品,在1850℃或1900℃烧结0.5h后的相对密度分别达到95.3%和98.3%。这种样品的烧结致密化机制为Y3Al5O12液相烧结。

关 键 词：碳化硅 超高压成型  无压烧结

分 类 号：TB383[材料类]