文献类型：期刊文章

作　　者：欧阳方平[1] 王焕友[1,2] 李明君[1] 肖金[1] 徐慧[1]

机构地区：[1]中南大学物理科学与技术学院,长沙410083 [2]湘南学院物理系,郴州423000

出　　处：《物理学报》

基　　金：国家自然科学基金(批准号:50504017);湖南省自然科学基金(批准号:07113102);中南大学理科发展基金(批准号:08SDF02)资助的课题~~

年　　份：2008

卷　　号：57

期　　号：11

起止页码：7132-7138

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2004、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EI(收录号：20085111788720)、IC、INSPEC、JST、RCCSE、SCI(收录号：WOS:000260946500068)、SCI-EXPANDED(收录号：WOS:000260946500068)、SCIE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、ZMATH、核心刊

摘　　要：基于第一性原理电子结构和输运性质计算,研究了单空位缺陷对单层石墨纳米带(包括zigzag型和armchair型带)电子性质的影响.研究发现,单空位缺陷使石墨纳米带在费米面上出现一平直的缺陷态能带;单空位缺陷的引入使zigzag型半导体性的石墨纳米带变为金属性,这在能带工程中有重要的应用价值;奇数宽度的armchair型石墨纳米带表现出金属特性,有着很好的导电性能,同时,偶数宽度的armchair型石墨带虽有金属性的能带结构,但却有类似半导体的伏安特性;单空位缺陷使得奇数宽度的armchair石墨纳米带导电性能减弱,使得偶数宽度的armchair石墨纳米带导电性能明显增强.

关 键 词：石墨纳米带 单空位缺陷  电子结构 输运性质

分 类 号：TB383.1[材料类]