期刊文章详细信息
文献类型:期刊文章
机构地区:[1]岳阳职业技术学院电子工程系,湖南岳阳414000
年 份:2008
卷 号:23
期 号:5
起止页码:77-80
语 种:中文
收录情况:NSSD、RCCSE、普通刊
摘 要:本文中采用TSMC 0.35 μm CMOS工艺,设计了工作在2.4GHz、可应用于蓝牙的低噪声放大器。文中对设计过程有比较详细的叙述,并给出了优化仿真结果。最终的结果显示,该低噪声放大器的最大增益约为16dB,并且波动范围小于0.3dB,具有很好的平坦度。噪声系数约为0.8dB,IIP3为+1.6dBm。在1.5V电源电压供电条件下,电路直流功耗为8mW,能很好地满足低功耗的要求。
关 键 词:低功耗 CMOS 低噪声放大器(LNA) 设计
分 类 号:TN722.3]
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