文献类型：期刊文章

作　　者：朱继国[1] 丁万昱[1] 王华林[1] 张树旺[1] 张粲[1] 张俊计[1] 柴卫平[1]

机构地区：[1]大连交通大学材料科学与工程学院光电材料与器件研究所,辽宁大连116028

出　　处：《微细加工技术》

基　　金：大连交通大学人才引进启动基金资助项目(021403)

年　　份：2008

期　　号：4

起止页码：35-38

语　　种：中文

收录情况：SCOPUS、普通刊

摘　　要：利用直流脉冲磁控溅射方法在玻璃衬底上制备太阳电池背接触Mo薄膜。通过台阶仪、四探针电阻仪、X射线衍射仪、紫外-可见分光光度计等研究了Ar气压强对薄膜结构及光电性能的影响,结果表明,在低的Ar气压强下制备的Mo薄膜晶粒尺寸较大,薄膜结晶质量好,薄膜具有优良的光电性能,Ar气压强的增加将导致薄膜的晶粒尺寸减小,薄膜结晶质量差,结构疏松,从而降低薄膜的光电性能。Ar气压强为0.4 Pa时制备薄膜的晶粒尺寸为21.02 nm,电阻率最低,为14μΩ.cm,波长190 nm^850 nm范围内的平均反射率可达到66.94%。

关 键 词：MO薄膜 直流脉冲磁控溅射  晶粒尺寸 光电性能

分 类 号：TN304.055]