文献类型：期刊文章

作　　者：幸研[1] 朱鹏[1] 易红[1] 汤文成[1]

机构地区：[1]东南大学机械工程学院先进制造技术实验室,南京211189

出　　处：《Journal of Semiconductors》

年　　份：2008

卷　　号：29

期　　号：10

起止页码：2027-2033

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2004、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EBSCO、EI(收录号：20084711723288)、IC、INSPEC、JST、RSC、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：讨论了基于蒙特卡罗法模拟各向异性腐蚀加工的微观表面形态的仿真方法.应用台阶流动模型,分析了(h,k,l)晶面中(h+2,h,h),(h,1,1),(h+2,h+2,h)以及(h,h,1)晶面族上反应活跃的台阶部位原子的排列特征,结合微掩模的作用和定义方法,提出了通过限制各晶面族台阶部位广泛存在的一级、二级邻居数为(3,7)原子移除概率的方法来模拟快速反应区域的吸附抑制现象.把上述内容应用于RPF函数对(100)面的凸起结构,(110)面的带状条纹以及(111)面的三角形凹陷微观结构进行了仿真计算,解释了腐蚀中微观形貌的特征和成因.算法在3种基础晶面和高指数(322)晶面的计算结果能够很好地符合实验中观察到的表面形态微观特征,验证了方法的有效性.

关 键 词：蒙特卡罗 单晶硅 湿法腐蚀 表面形态

分 类 号：TN405]