文献类型：期刊文章

作　　者：何鉴[1] 高子奇[1] 李冰[1] 郑金红[1] 穆启道[1]

机构地区：[1]北京科华微电子材料有限公司,北京101312

出　　处：《半导体技术》

基　　金：国家"十一五"重点攻关计划支持项目(JPPT-115-490)

年　　份：2008

卷　　号：33

期　　号：9

起止页码：743-747

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2004、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD_E2011_2012、INSPEC、JST、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：介绍了193 nm浸没式光刻技术的兴起和面临的挑战。在所涉及的材料方面,对第一代、第二代及第三代的浸没液体进行了介绍,对顶部涂料的类型及其应用进行了归纳概述。并对顶部涂料存在的问题进行了阐述。对光刻胶材料中涉及的产酸剂、主体树脂及光刻胶应用方面进行了综述,并重点描述了无须顶部涂层的光刻胶,最后对193 nm浸没式光刻材料发展趋势作了展望。

关 键 词：193  nm浸没式光刻  浸没液体  顶部涂料  光刻胶

分 类 号：TN305.7]