文献类型：期刊文章

作　　者：蔡长龙[1] 马睿[1] 周顺[1] 刘欢[1] 刘卫国[1]

机构地区：[1]西安工业大学光电微系统研究所,西安710032

出　　处：《半导体技术》

基　　金：西安-应用材料创新基金研究项目(XA-AM-200618)

年　　份：2008

卷　　号：33

期　　号：10

起止页码：862-865

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2004、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD_E2011_2012、INSPEC、JST、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：在采用混合集成方法制造红外热成像阵列器件中,Si的快速刻蚀去除是一个至关重要的问题,它的刻蚀去除质量直接影响红外热成像器件的性能。介绍了等离子体刻蚀的原理、实验过程和实验方法,通过大量工艺实验和测试详细研究和分析了不同刻蚀气体、射频功率和气体流量等工艺参数对Si刻蚀结果的影响,包括刻蚀速率、刻蚀轮廓垂直度和刻蚀表面粗糙度等。通过研究,获得了Si材刻蚀效果与各种工艺参数之间的变化关系,得到了快速刻蚀Si材的较好的工艺参数。

关 键 词：硅 等离子体刻蚀 刻蚀速率 工艺参数

分 类 号：TN405.98]