期刊文章详细信息
文献类型:期刊文章
机构地区:[1]天津工程师范大学电子工程系,天津300222
基 金:天津市高校科技发展基金项目(No.20060605)。
年 份:2008
卷 号:45
期 号:5
起止页码:54-61
语 种:中文
收录情况:BDHX、BDHX2004、CAS、ZGKJHX、核心刊
摘 要:介绍了宽禁带半导体ZnO薄膜的制备工艺、主要性质和器件应用等几方面内容。ZnO薄膜的制备方法大致分为物理法和化学法。前者主要包括溅射、脉冲激光沉积和分子束外延等;后者则涵盖化学气相沉积、喷雾热解和溶胶-凝胶法等。从晶体结构、光学及电学等角度概述了ZnO薄膜的主要性质。与这些性质相联系的器件应用有太阳能电池、发光器件和紫外探测器等。对器件应用领域中存在的一些问题及其解决思路作了探讨。
关 键 词:ZNO薄膜 制备工艺 光电特性 光电器件
分 类 号:TN304.055] TN304.21
参考文献:
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