期刊文章详细信息
文献类型:期刊文章
机构地区:[1]中国科学院微电子中心BSRF联合光刻站,北京100010
基 金:军用微电子重点预研资助
年 份:1997
期 号:3
起止页码:14-19
语 种:中文
收录情况:EI(收录号:1998164090035)、普通刊
摘 要:利用BeamPropagationMethod(BPM)方法研究了深亚微米同步辐射X射线光刻中的掩模吸收体的光导波效应,并且利用瑞利-索末非理论对光刻胶表面的空间像光强分布进行了计算。研究结果表明基尔霍夫边界条件不宜用于计算0.25μm以下光刻分辨率的空间像光强分布。研究结果还表明北京同步辐射装置3BlA光刻束线的光刻分辨率可以达到0.1μm,而且这时金吸收体厚度为0.45μm就可以了,而不是通常认为的1.0μm。
关 键 词:X射线光刻 分辨率 同步辐射 计算机模拟 光刻
分 类 号:TN305.7]
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