文献类型：期刊文章

作　　者：黄柏仁[1,2] 叶忠信[1,3] 李世鸿[4] 汪岛军[1] 陈昆歧[5]

机构地区：[1]国立云林科技大学工程科技研究所,中国台湾云林 [2]国立台湾科技大学电子工程系暨光电工程研究所,中国台湾台北 [3]建国科技大学电子工程系,中国台湾彰化 [4]大叶大学电机工程学系,中国台湾彰化 [5]国立云林科技大学电子工程系,中国台湾云林

出　　处：《新型炭材料》

年　　份：2008

卷　　号：23

期　　号：3

起止页码：209-215

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2004、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EI(收录号：20084211647415)、IC、INSPEC、JST、RCCSE、SCI(收录号：WOS:000259774500004)、SCI-EXPANDED(收录号：WOS:000259774500004)、SCIE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：采用微波等离子体化学气相沉积系统在钛/硅基板上沉积类金刚石薄膜,并利用拉曼光谱仪、扫瞄式电子显微镜及原子力显微镜研究了氢等离子体前处理及快速退火后处理对类金刚石薄膜场发射特性之影响。在沉积类金刚石薄膜之前,钛/硅基板使用了两种前处理技术:第一种为研磨金刚石粉末,第二种为研磨金刚石粉末后外加氢等离子体刻蚀处理。成长类金刚石薄膜后进行快速退火处理。发现不论是氢等离子体前处理还是快速退火后处理皆能改善场发射特性,其中经退火后处理的场发射特性比氢等离子体前处理的场发射特性改善更明显。其因之一在于快速退火后处理可在类金刚石薄膜表面形成sp2丛聚,提供了很多的场发射子,也同时增加了表面粗糙度;另一个原因可能是在快速退火后处理期间会使类金刚石薄膜进一步石墨化,因而提供了许多电子在通过类金刚石薄膜时的传输路径。研究结果表明:利用适当的前后处理技术可改进类金刚石薄膜的场发射特性,进而做为冷阴极材料之应用。

关 键 词：类金刚石 等离子体处理 快速退火 场发射

分 类 号：O613.71]