文献类型：期刊文章

作　　者：李刚[1] 桑文斌[1] 闵嘉华[1] 钱永彪[2] 施朱斌[1] 戴灵恩[1] 赵岳[1]

机构地区：[1]上海大学材料科学与工程学院,上海200072 [2]华瑞科学仪器(上海)有限公司传感器工程技术中心,上海201821

出　　处：《无机材料学报》

基　　金：国家自然科学基金(10675080);上海市重点学科建设项目(T0101)

年　　份：2008

卷　　号：23

期　　号：5

起止页码：1049-1053

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2004、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、DOAJ、EI(收录号：20084111636670)、IC、JST、RCCSE、SCI(收录号：WOS:000259690600038)、SCI-EXPANDED(收录号：WOS:000259690600038)、SCIE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：利用低压垂直布里奇曼法制备了不同In掺杂量的CdZnTe晶体样品,采用低温光致发光谱(PL)、深能级瞬态谱(DLTS)以及霍尔测试等手段研究了In掺杂CdZnTe晶体中的主要缺陷能级及其可能存在的补偿机制.PL测试结果表明,在In掺杂样品中,In原子占据了晶体中原有的Cd空位,形成了能级位于E_c-18meV的替代浅施主缺陷[In_(Cd)^+],同时[In_(Cd)^+]还与[V_(Cd)^(2-)]形成了能级位于E_v+163meV的复合缺陷[(In_(Cd)^+-V_(Cd)^(2-))^-].DLTS分析表明,掺In样品中存在导带以下约0.74eV的深能级电子陷阱能级,这个能级很可能是Te反位[Te_(Cd)]施主缺陷造成的.由此,In掺杂CdZnTe晶体的电学性质是In掺杂施主缺陷、Te反位深能级施主缺陷与本征受主缺陷Cd空位和残余受主杂质缺陷补偿的综合结果.

关 键 词：碲锌镉 低温PL  深能级瞬态谱 缺陷能级  

分 类 号：TN304]