文献类型：期刊文章

作　　者：李欣[1] 张清[1] 阮建中[1] 王清江[2] 杨燮龙[1] 赵振杰[1]

机构地区：[1]华东师范大学物理系纳光电集成与先进装备教育部工程研究中心,上海200062 [2]华东师范大学化学系,上海200062

出　　处：《传感技术学报》

基　　金：国家自然科学基金资助(20575022);上海科技项目资助(0652nm036)

年　　份：2008

卷　　号：21

期　　号：7

起止页码：1147-1150

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2004、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、IC、INSPEC、JST、RCCSE、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：针对采用Co基非晶丝作为敏感元件的传统巨磁阻抗传感器和非对角巨磁阻抗传感器进行比较研究。改变敏感元件的长度,观察两者在直流外磁场作用下输出信号的变化规律,并讨论退磁场等因素对传感器输出信号的影响。结果显示非对角巨磁阻抗传感器具有高灵敏度,无磁滞等优点,且灵敏度随样品长度的减小略有增大,在测量弱磁场方面表现出更大的潜力,为磁敏传感器的小型化提供了一定的参考依据。

关 键 词：磁敏传感器 巨磁阻抗效应 退磁 小型化

分 类 号：TP212] TM936]