文献类型：期刊文章

作　　者：吉慧芳[1,2] 董永芬[1] 李隆玉[1] 姜卫粉[1] 吕运朋[2] 李新建[1,2]

机构地区：[1]郑州大学物理系,材料物理教育部重点实验室,郑州450052 [2]郑州大学测控技术系,郑州450003

出　　处：《传感技术学报》

基　　金：国家自然科学基金资助(10574112)

年　　份：2008

卷　　号：21

期　　号：7

起止页码：1097-1101

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2004、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、IC、INSPEC、JST、RCCSE、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：基于硅纳米孔柱阵列(Si-NPA)制备电容型湿度传感元件,并在250℃、450℃和550℃三个温度下对元件进行退火处理。测试数据显示,在测试温度低于550℃时,Si-NPA湿敏元件灵敏度随退火温度的升高而增大,但响应时间略微延长,湿滞回差略微增大;550℃退火后,元件的灵敏度急剧降低。采用场发射扫描电镜(FE-SEM)对不同温度退火的硅纳米孔柱阵列表面形貌进行观察,发现550℃退火元件的微观多孔结构发生了明显变化,即多孔结构致密化。结果表明,通过合适温度退火可以显著提高Si-NPA湿敏元件灵敏度,同时仍然保持较快的响应速度和较小的湿滞回差。

关 键 词：硅纳米孔柱阵列(Si-NPA)  湿敏 退火 温度

分 类 号：TP-212[自动化类] TN303]