期刊文章详细信息
文献类型:期刊文章
机构地区:[1]西南交通大学微电子研究所,四川成都610031
年 份:2008
卷 号:34
期 号:8
起止页码:69-72
语 种:中文
收录情况:BDHX、BDHX2004、DOAJ、JST、RCCSE、ZGKJHX、核心刊
摘 要:介绍了一种低温漂的 BiCMOS 带隙基准电压源及过温保护电路。采用 Brokaw 带隙基准核结构,通过二阶曲率补偿技术,设计了一种在-40℃~+160℃的温度变化范围内温度系数为25ppm/K、输出电压为1.2±0.000 5V 的带隙基准电压源电路。电源电压抑制比典型情况下为72dB。这种用于内部集成的带热滞回功能的过温保护电路,过温关断阈值温度为160℃,温度降低,安全开启阈值温度140℃,设计的热滞回差很好地防止了热振荡现象。
关 键 词:Brokaw带隙基准 温度曲率补偿 过温保护 热滞回
分 类 号:TN431.1] TN949.12
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