文献类型：期刊文章

作　　者：万元姣[1] 刘桂芝[2] 李智群[1]

机构地区：[1]东南大学集成电路学院,南京210096 [2]上海南麟电子有限公司,上海201203

出　　处：《微电子学》

年　　份：2008

卷　　号：38

期　　号：4

起止页码：596-599

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2004、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD_E2011_2012、IC、INSPEC、JST、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：根据PN结导通电压及带隙电压温度特性的非线性，分析了经一阶线性补偿后带隙基准的残余温度特性及其变化规律；针对经典高阶补偿的基本原理和实现方案，分析了非线性感应检测高阶补偿结构实现的难点。在此基础上，提出了一种新型两段式高阶温度补偿带隙基准的电路结构，基于CSMC0．5μm CMOS工艺的Cadence Spectre模拟结果表明，在-40～110℃范围内，温度系数降低到4ppm／℃以内。

关 键 词：带隙基准源 PTAT高阶温度补偿  非线性

分 类 号：TN432]