文献类型：期刊文章

作　　者：高飞[1] 毛明[1] 丁振峰[1] 王友年[1]

机构地区：[1]大连理工大学物理与光电工程学院,三束材料改性国家重点实验室,大连116024

出　　处：《物理学报》

基　　金：国家自然科学基金(批准号:10635010)资助的课题~~

年　　份：2008

卷　　号：57

期　　号：8

起止页码：5123-5129

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2004、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EI(收录号：20083811568018)、IC、INSPEC、JST、RCCSE、SCI(收录号：WOS:000258602600073)、SCI-EXPANDED(收录号：WOS:000258602600073)、SCIE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、ZMATH、核心刊

摘　　要：分别通过Langmuir探针测量和动力学模型模拟方法研究了射频感应耦合Ar-N2等离子体中电子能量分布、电子温度、电子密度等物理量随N2含量的变化规律.实验研究结果表明:电子能量分布呈现出非Maxwell型分布,并由双温分布向三温分布过渡;电子温度在不同的气压下随N2含量的增加呈现出不同的变化规律.在放电气压小于1.3Pa时,电子温度随N2含量的增加而下降;当气压大于1.3Pa时,电子温度随N2含量的增加先迅速上升而后缓慢下降.在不同的放电气压下,电子密度随N2含量的增加迅速下降.数值模拟结果与Langmuir探针测量结果趋势一致.

关 键 词：感应耦合等离子体 Ar-N2混合气体放电  电子能量分布  LANGMUIR探针

分 类 号：O536]