文献类型：期刊文章

作　　者：谢茂林[1] 罗德礼[1] 鲜晓斌[1] 冷邦义[1] 陈伟[1] 鲁伟员[2]

机构地区：[1]中国工程物理研究院,四川绵阳市621900 [2]四川艺精超硬材料有限公司,四川江油621700

出　　处：《硅酸盐学报》

年　　份：2008

卷　　号：36

期　　号：8

起止页码：1144-1147

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2004、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EI(收录号：20083711540793)、IC、INSPEC、JST、RCCSE、RSC、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：以纳米SiC为原料,用两面顶压机在4.5GPa/1250℃/20min条件下实现了不同Al2O3烧结助剂添加量(0～7%,质量分数,下同)的SiC陶瓷体的烧结。研究了烧结助剂含量对SiC陶瓷性能的影响。用X射线衍射、场发射电子显微镜、能谱分析、显微硬度测试对SiC高压烧结体进行了表征。结果表明:Al2O3是有效的低温烧结助剂,在超高压工艺下添加2%Al2O3即可实现SiC陶瓷全致密化烧结;烧结体晶粒长大得到抑制,晶格常数收缩了约0.45%;烧结体显微硬度随Al2O3含量升高而有所提高。

关 键 词：两面顶 超高压 烧结  碳化硅 氧化铝

分 类 号：TQ174]