文献类型：期刊文章

作　　者：王冰[1] 徐平[1]

机构地区：[1]深圳大学电子科学与技术学院深圳市微纳光子信息技术重点实验室,广东深圳518060

出　　处：《电子元件与材料》

基　　金：深圳市微纳光子信息技术重点实验室开放基金资助项目(No.2000811)

年　　份：2008

卷　　号：27

期　　号：8

起止页码：52-54

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2004、CAS、CSCD、CSCD_E2011_2012、INSPEC、JST、RCCSE、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：通过金银合金助催的碳热蒸发方式,在单晶Si衬底上生长了几种不同形貌的SnO2纳米结构。用SEM、XRD、Raman和PL等测试技术对其形貌、结构进行了表征。结果表明:PL光谱中观察到的359和450nm两个新峰是由存在于SnO2纳米结构中的发光中心如纳米晶体或氧空位等造成的。SnO2纳米结构的生长遵从VLS机制,与反应源的不同距离所产生的温度差是造成这些纳米结构具有不同形貌的主要原因。

关 键 词：电子技术 SnO2纳米结构  碳热蒸发  晶体生长 晶体形貌

分 类 号：TN304.21] O78]