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期刊文章详细信息

Bi_2O_3含量对电子玻璃电性能及结构的影响    

Effect of Bi_2O_3 contents on electronic properties and structure of electronic glass

  

文献类型:期刊文章

作  者:董福惠[1] 夏秀峰[1] 贺雅飞[1] 陈培[1] 李华东[1]

机构地区:[1]东华大学材料科学与工程学院先进玻璃制造技术教育部工程研究中心,上海200051

出  处:《电子元件与材料》

年  份:2008

卷  号:27

期  号:8

起止页码:33-35

语  种:中文

收录情况:BDHX、BDHX2004、CAS、CSCD、CSCD_E2011_2012、INSPEC、JST、RCCSE、ZGKJHX、核心刊

摘  要:以Bi2O3-B2O3-ZnO-Al2O3系为基础,调整Bi2O3与B2O3的含量以制备低熔点电子玻璃,研究了高含量Bi2O3对玻璃电性能的影响。并通过红外光谱对玻璃的结构进行了分析。结果表明:玻璃的转变温度tg、εr和ρv随着Bi2O3含量的增加而降低,而tanδ则增大。当w(Bi2O3)约为80%时,tg约为445℃,ρv约为1.9×1013Ω·cm。

关 键 词:无机非金属材料 Bi2O3-B2O3-ZnO-Al2O3系玻璃  电性能 介电性能

分 类 号:TM215.7[材料类]

参考文献:

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引证文献:

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同被引文献:

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