文献类型：期刊文章

作　　者：王光伟[1] 张建民[1]

机构地区：[1]天津工程师范大学电子工程系,天津300222

出　　处：《真空科学与技术学报》

基　　金：天津市高校科技发展基金项目(No.20060605)

年　　份：2008

卷　　号：28

期　　号：4

起止页码：325-330

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2004、CAS、CSCD、CSCD_E2011_2012、EI(收录号：20083511494241)、JST、RSC、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：本文分析了Al和Ni在外加电场作用下诱导非晶硅(a-Si)薄膜横向结晶的特点和机理。对影响非晶硅结晶的诸多因素,如场强、金属种类和退火条件进行了研究。简要概述了金属诱导横向结晶(MILC)相对于其它一些结晶工艺的优势及其在薄膜晶体管(TFT)中的应用。指出适当强度的电场可显著加快横向诱导结晶的速率,但场强超过一临界值后,则降低该速率,并基于电迁移效应较合理地解释了该现象。

关 键 词：金属诱导横向结晶 电场增强横向诱导结晶  扩散 固相反应 晶粒生长

分 类 号：TN304.8] TN304.055