期刊文章详细信息
氮气流量对反应磁控溅射制备TiN_x薄膜的影响
Influence of N_2 Flow Rate on TiN_x Thin Films Prepared by Reactive Magnetron Sputtering
文献类型：期刊文章
机构地区：[1]南昌大学物理学系,江西南昌330031
基 金：国家自然科学基金重点资助项目(50730007);同济大学波与材料微结构重点实验室开放基金资助项目(200602);南昌大学校基金资助项目(Z03681)
年 份：2008
卷 号：30
期 号：2
起止页码：138-141
语 种：中文
收录情况：CAS、CSA、CSA-PROQEUST、IC、JST、ZGKJHX、普通刊
摘 要：采用直流磁控溅射法,在S i基底上制备TiNx薄膜。研究了溅射沉积过程中氮气流量对TiNx薄膜生长及性能的影响。研究发现:在其它工艺参数不变的情况下,改变N2流量,薄膜的主要成分是(110)择优取向的四方相Ti2N。随着N2流量的增加,薄膜的厚度逐渐增加,薄膜粗糙度、颗粒尺寸和电阻率先减小后变大。
关 键 词：氮化钛薄膜 磁控溅射 氮气流量
分 类 号：O484.4]
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