文献类型：期刊文章

作　　者：谢茂林[1] 罗德礼[1] 鲜晓斌[1] 冷邦义[1] 谢东华[1] 鲁伟员[2]

机构地区：[1]中国工程物理研究院,绵阳621900 [2]四川艺精超硬材料有限公司,江油621700

出　　处：《无机材料学报》

年　　份：2008

卷　　号：23

期　　号：4

起止页码：811-814

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2004、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、DOAJ、EI(收录号：20083211445465)、IC、JST、RCCSE、SCI(收录号：WOS:000257928900035)、SCI-EXPANDED(收录号：WOS:000257928900035)、SCIE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：采用高温超高压(HT-HP)技术在4.5GPa/1250℃/20min工艺条件下制备了添加2wt% Al_2O_3助烧结剂的纳米SiC陶瓷.采用X射线粉末衍射(XRD)、X光电子能谱(XPS)、扫描电镜(SEM)、X射线能谱(EDX)、纳米压痕(Nano indenter)研究了烧结SiC陶瓷的物相组成、晶粒大小、化学成分、微观结构、纳米压痕力学性能等.结果表明:采用超高压烧结,可以在较低温度(1250±50℃)、较少烧结助剂用量下实现纳米SiC的致密烧结.烧结体未发生相转变,结构致密,无孔隙,晶粒尺寸为22nm,品格常数为4.355(?);显微硬度为33.7GPa,弹性模量为407GPa.

关 键 词：超高压 烧结  碳化硅 氧化铝

分 类 号：TB383[材料类]