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IGBT绝缘栅双极晶体管发展简述
Development of IGBT
文献类型：期刊文章
机构地区：[1]中国电子科技集团公司第四十七研究所,沈阳110032 [2]长春理工大学研究生院,长春130022
年 份：2008
卷 号：29
期 号：2
起止页码：41-43
语 种：中文
收录情况：ZGKJHX、普通刊
摘 要：简述了IGBT的发展概况,对比了国内外的发展现状,及国内外产品的技术特点与指标。同时,还指出了IGBT的优点,研究IGBT的重要性及其发展趋势。
关 键 词：绝缘栅双极晶体管 结构 现状 特点
分 类 号：TN323]
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