文献类型：期刊文章

作　　者：陈传祥[1] 齐红霞[1]

机构地区：[1]济宁学院物理系,山东曲阜273155

出　　处：《光学学报》

年　　份：2008

卷　　号：28

期　　号：7

起止页码：1411-1414

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2004、CAS、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EI、IC、JST、RCCSE、RSC、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：采用脉冲激光沉积方法在p-Si(100)衬底上生长ZnO薄膜,分别在500℃、600℃和700℃下真空退火,采用X射线衍射仪研究了退火对ZnO薄膜晶体结构的影响,并测量了ZnO的面电阻和ZnO/p-Si异质结的I-V特性曲线。研究表明,随着退火温度的升高,ZnO的(002)衍射峰强度逐渐增大,半峰全宽不断减小,同时薄膜内应力减小,ZnO晶粒尺寸变大。表明高温退火有助于ZnO薄膜结晶质量的提高。在没有光照的条件下,异质结的漏电流随退火温度的增加而增大;用650 nm光照射样品时,600℃退火的样品表现出最明显的光电效应,而过高的退火温度会破坏ZnO/p-Si异质结的界面结构,使其光电流变小。所以,要得到性能良好的光电器件,应选取适当的退火温度。

关 键 词：薄膜光学 光电效应 退火 脉冲激光沉积 ZnO/p—Si  

分 类 号：TN364]