文献类型：期刊文章

作　　者：罗毅[1] 张贤鹏[1] 王霖[2] 杨毅[2] 胡飞[2] 钱可元[2] 韩彦军[1] 李旭亮[3] 张志海[3] 邓国强[3]

机构地区：[1]清华大学电子工程系集成光电子学国家重点实验室/清华信息科学与技术国家实验室(筹),北京100084 [2]清华大学深圳研究生院半导体照明实验室,广东深圳518057 [3]东莞勤上光电股份有限公司技术研发中心,广东东莞523565

出　　处：《中国激光》

基　　金：国家自然科学基金(60536020,60723002);国家973计划(2006CB302801,2006CB302804,2006CB302806,2006CB921106);国家863计划(2006AA03A105);北京市科委重大计划(D0404003040321)资助项目

年　　份：2008

卷　　号：35

期　　号：7

起止页码：963-971

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2004、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EI(收录号：20083711525787)、INSPEC、JST、RSC、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：以GaN基功率型发光二极管(LED)为代表的半导体照明光源,具有其他传统光源无法比拟的诸多优点,被公认为21世纪最有价值的新型光源。充分发挥功率型LED的优势,利用非成像光学进行面向实际应用的功率型LED封装光学系统设计,以高端半导体照明光源的制造为突破点,带动整个半导体照明产业的快速进步,已成为半导体照明技术发展的战略选择。回顾了非成像光学的历史、研究进展以及在半导体照明中的应用,并通过设计实例,介绍了面向功率型LED光线耦合、二维给定光分布以及三维给定光分布问题的非成像光学系统设计原理与解决方案。

关 键 词：半导体照明 非成像光学  氮化镓 发光二极管

分 类 号：TM923.34] TN364.2]