文献类型：期刊文章

作　　者：丁咚[1] 阴明利[1] 邹长伟[1] 郭立平[1] 付德君[1]

机构地区：[1]武汉大学物理学院加速器实验室,武汉430072

出　　处：《核技术》

年　　份：2008

卷　　号：31

期　　号：7

起止页码：515-518

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2004、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EI(收录号：20083311456332)、IC、INSPEC、JST、RCCSE、RSC、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：采用中频磁控溅射技术,以金属Ga为靶材料,在Si(111)衬底上形成了GaN薄膜,研究了溅射压强、衬底温度等对GaN薄膜结构和成分的影响。发现沉积气压为0.4～1.0Pa时,薄膜呈GaN(002)取向,气压大于1.0Pa和小于0.4Pa时,用X射线衍射方法难以观察到GaN(002)的衍射峰。X射线能谱分析表明在最佳实验条件下制备的GaN薄膜的元素比Ga:N为1:1。

关 键 词：中频磁控溅射 GAN X射线衍射 沉积速率

分 类 号：O484.1] O47[物理学类]