文献类型：期刊文章

作　　者：曹广义[1,2] 金磊[1,2] 王建波[1,2]

机构地区：[1]武汉大学物理学院,声光材料与器件教育部重点实验室,湖北武汉430072 [2]武汉大学电子显微镜中心,湖北武汉430072

出　　处：《电子显微学报》

基　　金：教育部新世纪人才基金;湖北省青年杰出人才基金资助项目(No.2005ABB014)

年　　份：2008

卷　　号：27

期　　号：3

起止页码：185-191

语　　种：中文

收录情况：CAS、CSCD、CSCD2011_2012、JST、RCCSE、ZGKJHX、普通刊

摘　　要：通过热蒸发的方法在镀金的硅衬底上得到了硒化锌(ZnSe)复合孪晶纳米带。利用透射电镜选区电子衍射(SAED)方法并结合明场像确定了ZnSe复合孪晶纳米带的结构及生长方向,发现ZnSe复合孪晶纳米带由取向互为{113}镜面孪晶的两个纳米子带组成,单个纳米子带又由纳米量级的<111>旋转孪晶片层构成。采用会聚束电子衍射(CBED)技术确定了ZnSe复合孪晶纳米带沿<111>方向的极性。根据CBED结果并结合实验过程的设定,对ZnSe复合孪晶纳米带的形成机制进行了讨论。

关 键 词：复合孪晶纳米带  硒化锌 会聚束电子衍射  选区电子衍射

分 类 号：O614.241]