文献类型：期刊文章

作　　者：周梅[1] 赵德刚[2]

机构地区：[1]中国农业大学理学院应用物理系,北京100083 [2]中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室,北京100083

出　　处：《物理学报》

基　　金：国家自然科学基金(批准号:60776047);中国农业大学青年教师科研启动基金(基金批准号:2006007)资助的课题~~

年　　份：2008

卷　　号：57

期　　号：7

起止页码：4570-4574

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2004、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EI(收录号：20083111422740)、IC、INSPEC、JST、RCCSE、SCI(收录号：WOS:000257439600097)、SCI-EXPANDED(收录号：WOS:000257439600097)、SCIE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、ZMATH、核心刊

摘　　要：研究了p-GaN层厚度对GaN基pin结构紫外探测器性能的影响.模拟计算表明:较厚的p-GaN层会减小器件的量子效率,然而同时也会减小器件的暗电流,较薄的p-GaN层会增加器件的量子效率,但是同时也增加了器件的暗电流.进一步的分析表明,金属和p-GaN之间的结电场是出现这种现象的根本原因.在实际的器件设计中,应该根据实际需要选择p型层的厚度.

关 键 词：GAN 紫外探测器 量子效率 暗电流

分 类 号：TN23]