文献类型：期刊文章

作　　者：李欢[1] 牛萍娟[1] 杨广华[1] 李俊一[2] 张宇[2] 常旭[3] 张秀乐[3]

机构地区：[1]天津工业大学信息与通信工程学院,天津300160 [2]中国科学院半导体研究所光电子研究发展中心,北京100083 [3]河北工业大学土木工程学院交通工程系,天津300130

出　　处：《红外与激光工程》

基　　金：国家自然科学重点基金项目(NSFC-60536030)

年　　份：2008

卷　　号：37

期　　号：3

起止页码：440-443

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2004、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD_E2011_2012、EI、IC、INSPEC、JST、RCCSE、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：介绍了Si1-xGex合金材料在制作新型光电子器件方面的重要作用,描述了应变SiGe层的特性,包括其临界厚度与Ge组分的关系、能带变窄、折射率增加,以及应变SiGe层的亚稳态特性。设计了应变锗硅缓冲层上的高Ge组分PIN光电探测器的外延材料和结构,采用Silvaco软件分别对光电探测器的器件结构、光谱响应、响应电流及其随入射光功率的变化、器件的暗电流进行了模拟,结果显示,探测器有源区面积增大,其响应电流也增大,且暗电流比其响应电流小6～8个数量级;探测器的响应时间约为3.8×10-9s;探测器在850nm左右具有较好的光响应;这些结果都比较理想。采用L-edit软件设计了该光电探测器的结构,最后对研究结果做出总结。

关 键 词：光电探测器 锗硅 缓冲层 Silvaco  

分 类 号：TN364.2]