文献类型：期刊文章

作　　者：张俊[1] 孙素梅[2] 井群[1] 赵高峰[1] 罗有华[1]

机构地区：[1]河南大学物理与电子学院理论物理研究所,开封475004 [2]漯河医学高等专科学校,漯河462000

出　　处：《原子与分子物理学报》

基　　金：国家自然科学基金(10174086)

年　　份：2008

卷　　号：25

期　　号：3

起止页码：551-558

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2004、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、JST、RSC、核心刊

摘　　要：基于第一性原理，利用密度泛函理论中的广义梯度近似（GGA）系统研究了NiSin（n=1～13）团簇，在充分考虑自旋多重度的基础上讨论了这些团簇的生长行为，电子性质及其磁性．结果表明：NiSin＋1的基态结构是在NiSin的基态结构上带帽一个Si原子而得到；随着团簇尺寸的增大，Ni原子逐渐从吸附在Sin团簇的表面位置移动到Sin团簇笼内；掺杂Ni原子提高了硅团簇的稳定性；NiSi10团簇的稳定性在所有团簇中是最高的；电子总是从Si向Ni转移，Ni原子所带的电荷数不仅与Ni原子的配位数有关，还与NiSin团簇的基态结构密切相关；当n=1～2时，团簇的自旋总磁矩为2μB，当n≥3时，团簇的磁性消失，这可能与Ni原子内部较强的sp-d杂化以及Si原子内部的s-p杂化有关．

关 键 词：NiSin团簇  稳定结构  电子性质 磁矩

分 类 号：O641]