文献类型：期刊文章

作　　者：于晓艳[1] 荣宪伟[1] 关承祥[1] 赵朝中[1]

机构地区：[1]哈尔滨师范大学理化学院物理系,哈尔滨150080

出　　处：《人工晶体学报》

基　　金：国家自然科学基金资助项目(No.60777006);黑龙江省自然科学基金资助项目(No.GC06A114);黑龙江省教育厅科学技术项目(No.11531250);哈尔滨师范大学科研基金(KM2007-07)

年　　份：2008

卷　　号：37

期　　号：3

起止页码：538-542

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2004、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EI、JST、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：在LiNbO3晶体中掺进0.1wt%CeO2和0.03wt%Fe2O3以Czochralski技术生长不同Li/Nb比(0.94、1.20、1.40)Ce:Fe:LiNbO3晶体,其中Li/Nb=1.40的Ce:Fe:LiNbO3晶体是化学计量比。测试了不同Li/Nb比Ce:Fe:LiNbO3晶体抗光损伤能力,得到随着Li/Nb比的增加,晶体的抗光损伤能力增加。研究了晶体抗光损伤能力增强的机理。随着Li/Nb比的增加,晶体的响应速度和光折变灵敏度增加。测试不同Li/Nb比Ce:Fe:LiNbO3晶体位相共轭效应,利用产生的位相共轭光波消除图像的位相共轭畸变。利用Li/Nb=1.40的Ce:Fe:LiNbO3晶体做记录介质,Li/Nb=1.20的Ce:Fe:LiNbO3晶体作位相共轭镜进行全息关联存储实验。实验结果表明,存储系统具有实时处理,成像质量好,信噪比高和可反复使用的优点。

关 键 词：CE:FE:LINBO3晶体 光折变性能 抗光损伤能力  

分 类 号：O78]