期刊文章详细信息
ZnO及掺杂ZnO薄膜的研究进展
Research advances on doped ZnO thin films
文献类型：期刊文章
机构地区：[1]洛阳理工学院材料系 [2]中国人民解放军61489部队
年 份：2008
卷 号：16
期 号：2
起止页码：60-64
语 种：中文
收录情况：CAS、RCCSE、ZGKJHX、普通刊
摘 要：ZnO薄膜是一种Ⅱ-Ⅵ族的宽禁带半导体材料，具有优异的物理化学性能。通过对薄膜的掺杂，可以改善其性能或赋予其新的性能，使其应用更加广泛。作者综述了ZnO薄膜的制备方法，比较了各种制备方法的优缺点，重点探讨了ZnO及其掺杂薄膜在压电、光电、气敏及磁性能方面的研究，并对今后的研究方向进行了展望。
关 键 词：掺杂ZnO薄膜 制备工艺 性能
分 类 号：TN304.21]
参考文献：
正在载入数据...
二级参考文献：
正在载入数据...
耦合文献：
正在载入数据...
引证文献：
正在载入数据...
二级引证文献：
正在载入数据...
同被引文献：
正在载入数据...
