期刊文章详细信息
高过载三维MEMS加速度传感器敏感芯片设计仿真与优化 ( EI收录)
Design,Simulation and Optimization of Sensing Chip of High-g Three-axis MEMS Accelerometer
文献类型:期刊文章
机构地区:[1]北京理工大学机电工程与控制国家级重点实验室,北京100081 [2]中北大学电子测试技术国家重点实验室,山西太原030051
年 份:2008
卷 号:29
期 号:6
起止页码:690-696
语 种:中文
收录情况:BDHX、BDHX2004、CAS、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EI(收录号:20083111424159)、IC、JST、RCCSE、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊
摘 要:为获取硬目标侵彻武器弹体侵彻过程中完整的三轴向加速度信号,研制了三维高冲击过载MEMS压阻式加速度传感器。提出了中心岛硬心质量块E型膜片结构设计方案和独特的三维力敏电阻的布桥方式,并详细阐述了传感器三维加速度测试的工作原理,运用有限元分析软件进行仿真验证,并运用零阶粗优化与一阶梯度寻优相结合的优化算法,对传感器敏感芯片的结构参数进行优化。优化仿真结果表明:传感器敏感芯片的结构强度足够,可承受的瞬态高冲击过载峰值最高可达2×105g;芯片固有频率可达231 kHz;三轴向加速度测试力敏电阻布设位置应力应变大,使得传感器有较高的输出灵敏度,理论上的优化仿真分析保证了传感器有可靠的工作性能,最后研制传感器原理样机,进行实验验证。
关 键 词:仪器仪表技术 仿真与优化 MEMS 压阻式传感器 高G值 敏感芯片 三维
分 类 号:TP212]
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