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期刊文章详细信息

高过载三维MEMS加速度传感器敏感芯片设计仿真与优化  ( EI收录)  

Design,Simulation and Optimization of Sensing Chip of High-g Three-axis MEMS Accelerometer

  

文献类型:期刊文章

作  者:张振海[1] 李科杰[1] 任宪仁[1] 刘俊[2]

机构地区:[1]北京理工大学机电工程与控制国家级重点实验室,北京100081 [2]中北大学电子测试技术国家重点实验室,山西太原030051

出  处:《兵工学报》

年  份:2008

卷  号:29

期  号:6

起止页码:690-696

语  种:中文

收录情况:BDHX、BDHX2004、CAS、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EI(收录号:20083111424159)、IC、JST、RCCSE、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘  要:为获取硬目标侵彻武器弹体侵彻过程中完整的三轴向加速度信号,研制了三维高冲击过载MEMS压阻式加速度传感器。提出了中心岛硬心质量块E型膜片结构设计方案和独特的三维力敏电阻的布桥方式,并详细阐述了传感器三维加速度测试的工作原理,运用有限元分析软件进行仿真验证,并运用零阶粗优化与一阶梯度寻优相结合的优化算法,对传感器敏感芯片的结构参数进行优化。优化仿真结果表明:传感器敏感芯片的结构强度足够,可承受的瞬态高冲击过载峰值最高可达2×105g;芯片固有频率可达231 kHz;三轴向加速度测试力敏电阻布设位置应力应变大,使得传感器有较高的输出灵敏度,理论上的优化仿真分析保证了传感器有可靠的工作性能,最后研制传感器原理样机,进行实验验证。

关 键 词:仪器仪表技术 仿真与优化  MEMS  压阻式传感器 高G值 敏感芯片  三维  

分 类 号:TP212]

参考文献:

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引证文献:

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同被引文献:

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