文献类型：期刊文章

作　　者：叶志高[1] 朱丽萍[1] 彭英姿[2] 叶志镇[1] 何海平[1] 赵炳辉[1]

机构地区：[1]浙江大学硅材料国家重点实验室,浙江杭州310027 [2]杭州电子科技大学理学院材料物理研究所,浙江杭州310018

出　　处：《发光学报》

基　　金：国家“973”计划(2006CB604906);国家自然科学基金(50532060,50772099)资助项目

年　　份：2008

卷　　号：29

期　　号：3

起止页码：486-490

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2004、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EI、IC、INSPEC、JST、RCCSE、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：采用脉冲激光沉积(PLD)法在单晶Si(100)及石英衬底上生长Co掺杂ZnO薄膜,并且比较了不同生长条件下薄膜的性能。实验观察到了700℃、0.02Pa氧压气氛下生长的Co掺杂ZnO薄膜显示室温磁滞回线。采用XRD、SEM等手段对Co掺杂ZnO薄膜的晶体结构及微观形貌进行了分析,得到的ZnO薄膜具有高度的c轴择优取向,结构比较致密,表面平整度较高,并且没有发现Co的相关分相,初步表明Co有效地掺入了ZnO的晶格当中。霍尔测试表明Co掺杂ZnO薄膜样品保持了半导体的电学性能,电阻率为0.04Ω·cm左右,载流子浓度约为1018/cm3,迁移率都在18.7cm2/V·s以上。实验结果表明材料保持了ZnO半导体的性能,并具有室温铁磁性。

关 键 词：氧化锌 磁性  CO掺杂 脉冲激光沉积

分 类 号：O472.5]