文献类型：期刊文章

作　　者：刘雪冬[1] 顾书林[1] 李峰[1] 朱顺明[1] 刘伟[1] 叶建东[1] 单正平[1] 刘少波[1] 汤琨[1] 朱光耀[1] 张荣[1] 郑有炓[1]

机构地区：[1]南京大学物理系江苏省光电功能材料重点实验室,江苏南京210093

出　　处：《发光学报》

基　　金：国家重点基础研究规划(G001CB3095);国家自然科学基金(60276011;60390073);国家"863"计划(2002AA311060)资助项目

年　　份：2008

卷　　号：29

期　　号：3

起止页码：441-446

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2004、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EI、IC、INSPEC、JST、RCCSE、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：采用MOCVD方法在石英衬底上生长ZnO。实验使用二乙基锌(DEZn)为锌源,N2O作为氧和氮源,H2作为载气。采用PL和Raman光谱方法对ZnO样品进行表征,结果表明H2的加入大幅度减少薄膜中碳的掺入,明显改善了薄膜的光学质量。采用N2O离化技术,可以进一步提高其带边峰的强度,抑制带内发光。XRD测量表明,生长的ZnO薄膜具有c轴择优取向。目前生长高质量N掺杂的p型ZnO薄膜是很困难的,而H2作为载气的加入明显改善了ZnO薄膜的光学性质,在生长过程中加入H2将为获得高质量N掺杂的p型ZnO薄膜提供一种途径。

关 键 词：氧化锌 载气 金属有机源化学气相沉积  离化

分 类 号：O482.31]