文献类型：期刊文章

作　　者：方国家[1] 王明军[1] 刘逆霜[1] 李春[1] 艾磊[1] 李军[1] 赵兴中[1]

机构地区：[1]武汉大学物理科学与技术学院声光材料与器件教育部重点实验室

出　　处：《发光学报》

基　　金：高等学校博士点研究基金资助项目(20070486015)

年　　份：2008

卷　　号：29

期　　号：3

起止页码：421-424

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2004、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EI、INSPEC、JST、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：采用光刻和脉冲准分子激光沉积技术在Si衬底上制备了图形化的ZnO种子层薄膜。分别采用气相输运和水热合成法,制备了最小单元为30μm的图形化的垂直定向生长的ZnO纳米线阵列。X射线衍射(XRD)分析显示ZnO纳米线阵列具有高度的c轴[001]择优取向生长特性。从扫描电子显微镜(SEM)照片看出,阵列图形完整清晰,边缘整齐。纳米线阵列室温下光致发光(PL)谱线中在380nm左右具有强烈的紫外发射峰,可见光区域发射峰得到了抑制,证明ZnO纳米线缺陷少,晶体质量高。场致电子发射测量表明,ZnO纳米线阵列开启电场和阈值电场分别为2.3,4.2V/μm,具有较好的场致电子发射性能。

关 键 词：ZNO纳米线阵列 光致发光 场致电子发射

分 类 号：TN304.12] TB383[材料类]