文献类型：期刊文章

作　　者：邹继军[1] 高频[2] 杨智[2] 常本康[2]

机构地区：[1]东华理工大学电子工程系,江西抚州344000 [2]南京理工大学电子工程与光电技术学院,南京210094

出　　处：《光子学报》

基　　金：国家自然科学基金(60678043);江西省自然科学基金(2007GQS0412);江西省教育厅科技计划项目(GJJ08298)

年　　份：2008

卷　　号：37

期　　号：6

起止页码：1112-1115

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2004、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EI(收录号：20083011401725)、IC、INSPEC、JST、RSC、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：通过求解扩散方程,推导了含有后界面复合速率的反射式GaAs光电阴极量子效率公式,并利用MBE在GaAs(100)衬底上外延生长了发射层厚度分别为1.6μm、2.0μm和2.6μm,掺杂浓度为1×1019cm-3的三个反射式GaAs阴极样品,进行了激活实验.实验结果显示:随着发射层厚度的增加,阴极的长波量子效率和灵敏度都有所提高,而这种提高与阴极电子扩散长度的增长有关.同时,理论仿真研究发现,当后界面复合速率小于或等于105cm/s时,阴极发射层有一个最佳厚度,此时阴极灵敏度最高.后界面复合速率对阴极灵敏度在发射层厚度较小时影响较大,而随着厚度的增大阴极灵敏度最终趋于稳定.

关 键 词：GAAS光电阴极 量子效率 积分灵敏度 发射层厚度  

分 类 号：TN223]