期刊文章详细信息
文献类型:期刊文章
机构地区:[1]烟台大学薄膜器件与弱信号信息技术实验室
基 金:山东省自然科学基金
年 份:1997
卷 号:10
期 号:4
起止页码:245-249
语 种:中文
收录情况:AJ、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、MR、RCCSE、ZGKJHX、ZMATH、普通刊
摘 要:在半导体掺杂材料或超晶格材料中存在着带负电的杂质,在高浓度掺杂时应考虑杂质之间的相互作用,对δ层掺杂则需要计算二维杂质模型,所有这些都必须研究二维氢负离子.本文采取了合适的步骤,计算了二维氢负离子的能量,与三维氢负离子作了比较,分析了各变分参量的数值差别及其物理意义.
关 键 词:氢负离子 杂质态 波函数 能级 半导体 掺杂
分 类 号:O474]
参考文献:
正在载入数据...
二级参考文献:
正在载入数据...
耦合文献:
正在载入数据...
引证文献:
正在载入数据...
二级引证文献:
正在载入数据...
同被引文献:
正在载入数据...