文献类型：期刊文章

作　　者：李卫青[1]

机构地区：[1]天津大学理学院现代材料物理研究所,天津市低维功能材料物理与制备技术重点实验室,天津300072

出　　处：《液晶与显示》

基　　金：国家自然科学基金资助项目(No10647140);天津大学青年基金资助项目(No5110119)

年　　份：2008

卷　　号：23

期　　号：3

起止页码：352-356

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2004、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD_E2011_2012、EBSCO、IC、INSPEC、JST、RCCSE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：利用等离子体增强脉冲激光沉积系统,在n型Si(100)基底上沉积了不同沉积气压下的纳米BN薄膜,利用红外光谱(FTIR)对BN薄膜进行了表征。通过原子力显微镜(AFM)观察了薄膜的表面形貌。在超高真空(<5.0×10-7Pa)情况下测量了薄膜的场致发射特性。实验结果表明,沉积气压对BN薄膜的场发射特性影响很大。BN薄膜的阈值电场随着沉积气压的升高而升高,发射极限电流随着沉积气压的升高而较小,但耐压特性提高。沉积气压为2Pa时沉积的BN薄膜的场发射的阈值电场最低,为12V/μm,当电场升高到27V/μm时,场发射电流密度为140.6μA/cm2;当沉积气压升高到5Pa时,阈值电场升高为26V/μm,当电场升高到59V/μm时,发射电流密度为187.5μA/cm2;沉积气压升高到15Pa时的样品的阈值电场已经高达51V/μm。所有BN薄膜的F-N曲线都符合F-N理论,表明电子发射是通过隧穿表面势垒完成的。

关 键 词：射频等离子体 氮化硼薄膜 场发射特性 阈值电场  

分 类 号：O472.4] O484.4[物理学类]