期刊文章详细信息
低介电常数介孔氧化硅薄膜的结构与介电性能研究 ( EI收录)
Research on Configuration and Dielectric Properties of Mesoporous SiO_2 Low-k Films
文献类型：期刊文章
机构地区：[1]盐城工学院基础部,盐城224003 [2]上海理工大学物理系,上海200093
基 金：上海市重点学科建设项目资助
年 份：2008
卷 号：22
期 号：1
起止页码：332-334
语 种：中文
收录情况：EI、IC、JST、SCOPUS、ZGKJHX、普通刊
摘 要：利用溶胶-凝胶技术制备了介孔氧化硅薄膜。采用MIM结构,通过平行板电容器法测量了介孔氧化硅薄膜的介电常数,结果表明采用表面修饰的方法可以在保持较低介电常数(k=2.25)的前提下极大地降低薄膜的漏电流,提高薄膜的环境稳定性能。通过对富氏红外光谱的分析,讨论了薄膜的键结构与介电性能之间的关系,结果表明去除介孔氧化硅薄膜中的OH基团是提高薄膜介电性能的关键。
关 键 词：低介电常数 介孔氧化硅薄膜 MIM结构
分 类 号：TB43] TN41]
参考文献：
正在载入数据...
二级参考文献：
正在载入数据...
耦合文献：
正在载入数据...
引证文献：
正在载入数据...
二级引证文献：
正在载入数据...
同被引文献：
正在载入数据...
