文献类型：期刊文章

作　　者：陈磊[1] 李萌[1] 张润曦[1] 赖宗声[1] 俞建国[1]

机构地区：[1]华东师范大学微电子电路与系统研究所,上海200062

出　　处：《电子器件》

基　　金：上海市科委资助(06SA14);江苏省专用集成电路设计重点实验室项目资助(JSICK0601)

年　　份：2008

卷　　号：31

期　　号：3

起止页码：820-823

语　　种：中文

收录情况：CAS、INSPEC、RCCSE、SCOPUS、ZGKJHX、普通刊

摘　　要：基于TSMC0.18μm标准CMOS标准工艺，提出了一种低温度系数，宽温度范围的带隙基准电压电路，该电路具有高电源抑制比，启动快及宽电源电压工作区域的优点，由于具备输出缓冲，可提供较低的输出阻抗及较高的电流负载能力。电路在-40℃到＋110℃的温度变化范围内，基准电压为2.3020V±0.0015V，温度系数仅为7.25×10^-6/℃（-40℃到＋110℃时），PSRR为64dB（11kHz处），电源电压变化范围为1.6-4.3V，输出噪声为5.018μV/√Hz（1kHz处）。

关 键 词：带隙基准 低温度系数 PTAT电路  电源抑制比 压控振荡器

分 类 号：TN402]