文献类型：期刊文章

作　　者：王超[1] 张义门[1] 张玉明[1] 谢昭熙[2] 郭辉[1] 徐大庆[1]

机构地区：[1]西安电子科技大学微电子学院,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安710071 [2]深圳市科技和信息局,广东深圳518027

出　　处：《电子器件》

基　　金：Project supported by the National Natural Science Foundation of China ( Grant No 60376001);the National Basic Research Program of China ( Grant No 2002CB311904);the National Defense Basic Research Program of China(Grant No 51327020202)

年　　份：2008

卷　　号：31

期　　号：3

起止页码：770-775

语　　种：中文

收录情况：CAS、INSPEC、RCCSE、SCOPUS、ZGKJHX、普通刊

摘　　要：对钒离子注入p型和n型4H-SiC制备半绝缘层的方法和特性进行了研究。注入层电阻率随退火温度的升高而增加,经过1650℃退火后,钒注入p型和n型SiC的电阻率分别为1.6×1010Ω·cm和7.6×106Ω·cm。借助原子力显微镜对样品表面形貌进行分析,发现碳保护膜可以有效减小高温退火产生的表面粗糙,抑制沟槽的形成。二次离子质谱分析结果表明退火没有导致明显的钒在SiC中的再扩散。即使经过1650℃高温退火,也没有发现钒离子向SiC表面外扩散的现象。

关 键 词：半绝缘碳化硅  钒离子注入  退火 碳保护膜  扩散  

分 类 号：TN304.2] TN305.3