期刊文章详细信息
CMOS器件用金属栅材料的研究进展
Progress of Studies on Metal Gate Electrode in CMOS Device
文献类型：期刊文章
机构地区：[1]重庆科技学院冶金与材料工程学院
基 金：重庆市教委科学技术研究项目(KJ071401);重庆科技学院科技创新团队建设工程项目(CX06-9);中国博士后科学基金(20070410774);重庆市自然科学基金(CSTC2007BB4212)
年 份：2008
卷 号：15
期 号：3
起止页码：43-48
语 种：中文
收录情况：CAS、ZGKJHX、普通刊
摘 要：传统多晶硅栅已不能适应CMOS器件尺寸进一步减小的要求,因此需要金属栅极材料来取代多晶硅。本文综述了多晶硅栅极存在的问题;金属栅极材料性能的要求;新型金属栅材料的研究进展及热点。最后提出了金属栅极材料研究中需要进一步解决的问题。
关 键 词：金属栅 综述 多晶硅 性能
分 类 号：TB34[材料类]
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